深紫外荧光系统

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应用实例
视频介绍

主要技术指标


典型参数


荧光寿命检测波长

220-600 nm

荧光光谱检测波长

200-1000 nm

时间分辨率

20 ps

空间分辨率

1 us

成像功能

荧光强度或光谱成像/荧光寿命成像/深紫外成像

成像范围

可定制

激发波长

206 nm/257 nm/343 nm/515 nm



拓展功能


拓展模块

拉曼、SHG、光电流等成像模块

外场调控

支持拓展低温、高压、磁场等外场条件


应用实例


· 晶圆位错缺陷光学无损识别

实验条件

样品名称

SiC外延片

激发光波长

390 nm



   13_11.png


图为荧光成像图与KOH腐蚀图的对比,展示了荧光成像技术检测缺陷的准确性和全面性。


· 晶圆位错缺陷共聚焦荧光成像

实验条件

样品名称

SiC外延片

激发光波长

343 nm



   14_06.png

· 晶圆时间分辨PL及寿命成像

实验条件

样品名称

SiC外延片

激发光波长

343 nm



   14_11.png

· 晶圆PL谱及荧光强度成像

实验条件

样品名称

GaN

激发光波长

343 nm



   14_15.png




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