主要技术指标
典型参数
荧光寿命检测波长
220-600 nm
荧光光谱检测波长
200-1000 nm
时间分辨率
≤20 ps
空间分辨率
≤1 us
成像功能
荧光强度或光谱成像/荧光寿命成像/深紫外成像
成像范围
可定制
激发波长
206 nm/257 nm/343 nm/515 nm
拓展功能
拓展模块
拉曼、SHG、光电流等成像模块
外场调控
支持拓展低温、高压、磁场等外场条件
应用实例
· 晶圆位错缺陷光学无损识别
实验条件
样品名称
SiC外延片
激发光波长
390 nm
图为荧光成像图与KOH腐蚀图的对比,展示了荧光成像技术检测缺陷的准确性和全面性。
· 晶圆位错缺陷共聚焦荧光成像
343 nm
· 晶圆时间分辨PL及寿命成像
· 晶圆PL谱及荧光强度成像
GaN