SiC衬底位错缺陷检测专用设备 光学非接触无损检测 BPD、TSD、TED分类识别 SiC衬底:4'/6'/8';导电、半绝缘 最高检测速度:<17 min/片(6")
SiC晶圆少子寿命质量成像监测系统
晶圆衬底质量(载流子寿命)高速成像 快速筛查外延片晶格质量 高时空分辨率 多激发波长可切换 全自动送样测试
钙钛矿太阳能电池综合性能分析系统
兼容各种 电池尺寸10 cm*10 cm,30 cm*30 cm 集成多种检测手段 明场成像/光致发光成像/电致发光成像/光电压(电流)成像 快速高精度的人工智能缺陷识别成像 检测时间<30s(10 cm*10 cm),空间分辨率10 μm 光电压(电流)成像指标 检测时间<10 min(10 cm*10 cm) 空间分辨率20 μm/100 μm
检测晶圆尺寸:4’ 测量uLED类型:RGB 明场/PL检测类型:明场缺陷分析、电极缺陷分析、PL缺陷分析 EL电学检测项目:V-I曲线、R1/IR2/IR3、VF1/VF2/F3 EL色度学检测项目:Cx、Cy、WLD、EQE PL/AOI检测速度:10 min/pcs(4’) EL检测速度:1.5 s/die to die
Micro LED晶圆级综合检测分析系统
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